| 型号：IDT71V416YS10Y8 | 类别：存储器 | 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 封装：44-BSOJ | 描述：IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ | |
详细参数
| 类别 | 存储器 |
|---|---|
| 描述 | IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ |
| 系列 | - |
| 制造商 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 格式_存储器 | RAM |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 4M (256K x 16) |
| 速度 | 10ns |
| 接口 | 并联 |
| 电压_电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳 | 44-BSOJ |
| 供应商器件封装 | 44-SOJ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市毅创弘电子科技有限公司 | 可乔086-0755-83514939 |
| 深圳市科雨电子有限公司 | 卢小姐，171-4729-0036微信同号，无线联通更快捷171-4729-0036（微信同号） |
| 深圳市毅创腾电子科技有限公司 | 张小姐86-755-83219286 (FPGA原厂渠道）// 83210909 (CPLD原厂渠道） |
| 北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
| 北京首天伟业科技有限公司 | 刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
| 北京显周科技有限公司 | 刘先生13910052844（微信同步） |
| 北京人上科技有限公司 | 刘先生13910052844（微信同步） |
IDT71V416YS10Y8相关型号
- IDT82P2281PFG8
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IDT, Integrated Device Technology Inc
80-LQFP
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电容器
Nichicon
径向，Can - 卡入式
CAP ALUM 120UF 500V 20% SNAP
- GRM55DR72E334KW01L
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2220（5750 公制）
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44-TSOP（0.400＂，10.16mm 宽）
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接口 - 驱动器，接收器，收发器
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2220（5750 公制）
CAP CER 0.33UF 250V 10% X7R 2220
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44-TSOP（0.400＂，10.16mm 宽）
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
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IC OSC CLOCK 125MHZ 10-LCCC
- IKN0403000
DIP
APEM Components, LLC
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
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2220（5750 公制）
CAP CER 0.47UF 250V 10% X7R 2220
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存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
44-TSOP（0.400＂，10.16mm 宽）
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
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接口 - 驱动器，接收器，收发器
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208-BGA
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2220（5750 公制）
CAP CER 0.1UF 1KV 10% X7R 2220
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模块
TERM BLOCK TERMINATOR
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- IDT71V416YS12PHGI
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44-TSOP（0.400＂，10.16mm 宽）
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- GRM55ER71H475KA01L
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2220（5750 公制）
CAP CER 4.7UF 50V 10% X7R 2220
- DRS2-1
配件
Omron Electronics Inc-IA Div
模块
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IC SRAM 4MBIT 15NS 48BGA
